[发明专利]提高外延填充和CMP研磨后光刻标记信号的方法无效
| 申请号： | 201010251572.9 | 申请日： | 2010-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102376531A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 陈福成;阚欢 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高外延填充和CMP研磨后光刻标记信号的方法，在采用外延工艺填充沟槽形成外延层之后，CMP工艺研磨外延层之前，在外延层上定义出一光刻标记的位置的步骤，而后依次刻蚀所述外延层、阻挡层和硅衬底形成增加的光刻标记，在后续下一个层次的光刻中，采用增加的光刻标记进行光刻对准及套刻。本发明的方法，在后续的光刻层次用新增加的光刻标记，能使光刻对准及套刻准确顺利的进行。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 外延 填充 cmp 研磨 光刻 标记 信号 方法 | ||
【主权项】：
一种提高外延填充和CMP研磨后光刻标记信号的方法，其特征在于，在采用外延工艺填充沟槽形成外延层之后，CMP工艺研磨所述外延层之前，在所述外延层上定义出一光刻标记的位置的步骤，而后依次刻蚀所述外延层、阻挡层和硅衬底形成增加的光刻标记，在下一个层次的光刻中，采用所述增加的光刻标记进行光刻对准及套刻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
