[发明专利]半导体元件用外延基板、半导体元件及半导体元件用外延基板的制作方法

摘要

提供一种外延基板，所述外延基板能够实现肖特基接触特性优良、并具有良好的设备特性的半导体元件。采用的解决手段为在基底基板之上形成由第一III族氮化物构成的沟道层，所述第一III族氮化物至少含有Al和Ga、具有Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)的组成；在上述沟道层之上形成由第二III族氮化物构成的势垒层，所述第二III族氮化物至少含有In和Al、具有Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的组成，并且所述势垒层的形成方式为：表面附近部的In组成比相对于表面附近部以外的部分的In组成比要小。

主权项

一种半导体元件用外延基板，具有：基底基板；由至少含有Al和Ga、组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)的第一III族氮化物构成的沟道层；由至少含有In和Al、组成为Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的第二III族氮化物构成的势垒层，其特征在于，上述势垒层包括表面、从所述表面起在深度方向规定距离范围以内的表面附近部以及从所述表面起在深度方向的距离大于规定距离范围的基部，所述表面的In组成比相对于所述基部的In组成比要小。