[发明专利]多层单元或非型闪存的制作方法

摘要

本发明公开一种多层单元或非型闪存的制作方法，其包含：于存储单元区及周边电路区形成相同深度的浅沟渠隔离结构，该深度为2400至2700埃；形成非自行对准的栅极结构；进行自行对准源极制程；以及形成共源极区及复数个漏极区。借此制作方法，可达到组件间的高集成度，并可使多层单元或非型闪存具有较佳热预算(thermal budget)及较佳的剂量控制进而提升生产良率。

主权项

一种多层单元或非型闪存的制作方法，其特征在于，其包含以下步骤：形成复数个第一浅沟渠隔离结构与复数个第二浅沟渠隔离结构于一基底上，所述第一浅沟渠隔离结构位于一存储单元区中，所述第二浅沟渠隔离结构位于一周边电路区中，且所述第一浅沟渠隔离结构的深度等于所述第二浅沟渠隔离结构的深度，其中，所述第一及二浅沟渠隔离结构的深度为2400至2700埃；形成复数个栅极堆栈结构于该存储单元区中，所述栅极堆栈结构的走向与所述第一浅沟渠隔离结构垂直；进行一自行对准源极制程，以除去位于每一对相邻的所述栅极堆栈结构之间的所述第一浅沟渠隔离结构；以及形成一共源极区于每一对相邻的所述栅极堆栈结构之间的该基底中，以及形成复数个漏极区于每一所述栅极堆栈结构的另一侧的该基底中，其中所述漏极区是以所述第一浅沟渠隔离结构相隔。