[发明专利]存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201010253175.5 | 申请日： | 2010-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN102044631A | 公开（公告）日： | 2011-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张国彬;赖二琨 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了存储器及其制造方法。存储装置包括金属部、第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层，第一金属氧化物层位于该金属部上，该第一金属氧化物层包括N个电阻层级，第二金属氧化物层位于该第一金属氧化物层上，该第二金属氧化物层包括M个电阻层级，其中该存储装置具有X个电阻层级，X＜M+N，用以降低编程干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储装置，其特征在于，包括：一金属部；一第一金属氧化物层位于该金属部上，该第一金属氧化物层包括N个电阻层级；一第二金属氧化物层位于该第一金属氧化物层上，该第二金属氧化物层包括M个电阻层级，其中该存储装置具有X个电阻层级，X＜M+N，用以降低编程干扰。
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