[发明专利]一种太阳能级单晶硅的生长方法和设备无效
| 申请号： | 201010253433.X | 申请日： | 2010-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102373500A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 柳祝平;黄小卫;张艳;裴广庆;王有明 | 申请（专利权）人： | 元亮科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种太阳能级硅单晶的生长方法和设备，采用传统的提拉法生长太阳能级硅单晶，其特征是采用一种新型的金属发热体进行加热，其包括圆筒和支撑圆筒的电极。圆筒由矩形波状的板条组成，整个圆筒安装在与水冷电极相连的电极板上。炉膛内为真空状态或充入惰性保护气体、或充入H2还原性气体。本发明方法减小了因使用石墨发热体生长太阳能级硅单晶的碳污染，延长了发热体的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳 能级 单晶硅 生长 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种采用传统的提拉法生长太阳能级硅单晶的生长过程所用的发热体，其特征在于，所述发热体为金属，且所述的金属发热体的材质包括钨、钼或钽，或者为其中两种以上金属的合金。
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