[发明专利]制造半导体组件和结构的方法

摘要

本发明涉及制造半导体组件和结构的方法。一种半导体组件和用于制造半导体组件的方法，其包括光致抗蚀剂层的双曝光或多层光致抗蚀剂的使用。金属化结构在布置在基底上的导电材料层上形成，且光致抗蚀剂层在金属化结构上形式。光致抗蚀剂层被暴露给光并被显影以移除光致抗蚀剂层的一部分，从而形成开口。接着，光致抗蚀剂层的较大部分被暴露给光，且导电互连物在开口中形成。光致抗蚀剂层的被暴露给光的较大部分被显影，以暴露导电互连物的边缘和金属化结构的部分。保护层在导电互连物的顶部和边缘上并在金属化结构的被暴露部分上形成。

主权项

一种用于制造半导体组件的方法，包括以下步骤：提供具有主表面的材料；在所述主表面之上形成第一导电结构；在所述第一导电结构之上形成光致抗蚀剂层；使所述光致抗蚀剂层的第一部分暴露给辐射，所述第一部分具有第一尺寸；以及使所述光致抗蚀剂层的第二部分暴露给辐射，所述第二部分具有大于所述第一尺寸的第二尺寸。