[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010254693.9 申请日: 2010-08-11
公开(公告)号: CN102157450A 公开(公告)日: 2011-08-17
发明(设计)人: 叶德强;夏兴国;林浩勋;赵治平;苏钦豪;郑锡圭 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/8249 分类号: H01L21/8249;H01L21/768;H01L27/04;H01L23/522
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供一基板,于基板上形成第一类型晶体管和第二类型晶体管。遮蔽第一类型晶体管,且于第二类型晶体管上形成第一硅化物区域。遮蔽第二类型晶体管,且于第一类型晶体管上形成第二硅化物区域,第二硅化物具有不同于第一硅化物的至少一特性,因而允许在各别元件上形成特定的硅化物区域。当工艺成本保持在一最小值时,允许较大最佳化和工艺控制。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,包括下列步骤:提供一基板,其具有一第一区域和一第二区域;于该第一区域中形成一第一类型晶体管;于该第二区域中形成一第二类型晶体管,其不同于该第一类型晶体管;于该第一类型晶体管上方形成一第一保护层,以暴露出该第二类型晶体管;于该第二类型晶体管上形成一第一硅化物;于该第二类型晶体管上方形成一第二保护层,以暴露出该第一类型晶体管;以及于该第一类型晶体管上形成一第二硅化物,该第二硅化物具有不同于该第一硅化物的至少一特性。
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