[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括提供一基板，于基板上形成第一类型晶体管和第二类型晶体管。遮蔽第一类型晶体管，且于第二类型晶体管上形成第一硅化物区域。遮蔽第二类型晶体管，且于第一类型晶体管上形成第二硅化物区域，第二硅化物具有不同于第一硅化物的至少一特性，因而允许在各别元件上形成特定的硅化物区域。当工艺成本保持在一最小值时，允许较大最佳化和工艺控制。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一基板，其具有一第一区域和一第二区域；于该第一区域中形成一第一类型晶体管；于该第二区域中形成一第二类型晶体管，其不同于该第一类型晶体管；于该第一类型晶体管上方形成一第一保护层，以暴露出该第二类型晶体管；于该第二类型晶体管上形成一第一硅化物；于该第二类型晶体管上方形成一第二保护层，以暴露出该第一类型晶体管；以及于该第一类型晶体管上形成一第二硅化物，该第二硅化物具有不同于该第一硅化物的至少一特性。