[发明专利]具有掩埋位线的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010255052.5 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102254915B | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 董且德;金奎显 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L23/528;H01L21/8239;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括：有源区，所述有源区具有侧壁，所述侧壁包括侧壁台阶；在所述侧壁台阶的表面之下形成的结；和被配置为与所述结相接触的掩埋位线。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：有源区，所述有源区具有侧壁，所述侧壁具有侧壁台阶；结，所述结形成在所述侧壁台阶的表面之下；和掩埋位线，所述掩埋位线被配置为与所述结相接触，其中所述结扩展到所述侧壁的下部，所述侧壁的下部位于所述侧壁台阶的表面之上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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