[发明专利]具有嵌入式高密度电容的硅基座有效
| 申请号： | 201010255407.0 | 申请日： | 2010-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102376780A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 谢正雄;黄振堂 | 申请（专利权）人： | 众智光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L29/41;H04B10/06;H04B10/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有嵌入式高密度电容的硅基座，属于电容性基座领域。其中，该电容性基座，用于玻璃光纤接收器中的光二极管的非接地绝缘，该基座包含：一重掺杂硅基板；沟槽数组，形成在该硅基板的上表面；一介电层，形成在该沟槽数组的表面上；一上电极，沉积覆盖在该介电层上；及一下电极，沉积在该硅基板的下表面上。本发明的电容性基座，能够克服TO-46金属罐封装结构中的空间可用性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 嵌入式 高密度 电容 基座 | ||
【主权项】：
一种电容性基座，用于玻璃光纤接收器中的光二极管的非接地绝缘，该基座包含：一重掺杂硅基板；沟槽数组，形成在该硅基板的上表面；一介电层，形成在该沟槽数组的表面上；一上电极，沉积覆盖在该介电层上；及一下电极，沉积在该硅基板的下表面上。
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