[发明专利]四结GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太阳电池的制作方法无效
| 申请号： | 201010255784.4 | 申请日： | 2010-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101950774A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 赵勇明;陆书龙;董建荣;任雪勇;熊康林;何巍;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种四结GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太阳电池的制作方法，利用晶片键合的方法，由基于GaAs衬底生长的GaInP/GaAs双结太阳电池和基于InP衬底生长的InGaAs/InGaAsP双结太阳电池集成；利用InP作为支撑衬底，实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.05/0.72eV的太阳电池，更大限度地实现太阳光全光谱的吸收和能量转换，在AM1.5G的辐照下，一个太阳下实现了32.8％的效率。基于两种双结电池的研制，本发明提出了键合四结太阳电池，以减少机械式级联太阳电池系统中使用多个不同衬底所导致的高成本以及光学集成电池中复杂的光学系统及光学损失，同时还有效解决了生长单片四结级联半导体太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出，降低高倍聚光电池中电阻消耗。 | ||
| 搜索关键词： | gainp gaas ingaasp ingaas 太阳电池 制作方法 | ||
【主权项】：
四结GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs太阳电池的制作方法，其特征在于：将基于GaAs衬底生长的晶格匹配的GaInP/GaAs双结太阳电池和基于InP衬底生长的晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结太阳电池以键合方式集成为四结GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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