[发明专利]非晶态氧化物半导体材料、场效应晶体管和显示装置有效
| 申请号： | 201010255843.8 | 申请日： | 2010-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN102082170A | 公开（公告）日： | 2011-06-01 |
| 发明（设计）人： | 滨威史;铃木真之;田中淳;望月文彦 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L29/786;H01L27/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种非晶态氧化物半导体材料，场效应晶体管和显示装置。所述非晶态氧化物半导体材料包含含有In、Ga和Zn的非晶态氧化物半导体，其中当In∶Ga∶Zn＝a∶b∶c表示所述氧化物半导体的元素组成比时，所述元素组成比由下列范围限定：a+b＝2，并且b＜2，并且c＜4b-3.2，并且c＞-5b+8，并且1≤c≤2。 | ||
| 搜索关键词： | 晶态 氧化物 半导体材料 场效应 晶体管 显示装置 | ||
【主权项】：
一种非晶态氧化物半导体材料，所述非晶态氧化物半导体材料包含含有In、Ga和Zn的非晶态氧化物半导体，其中当In∶Ga∶Zn＝a∶b∶c表示所述氧化物半导体的元素组成比时，所述元素组成比由下列范围限定：a+b＝2，并且b＜2，并且c＜4b‑3.2，并且c＞‑5b+8，并且1≤c≤2。
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