[发明专利]形成电子器件的方法有效
| 申请号： | 201010256809.2 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN102074462A | 公开（公告）日： | 2011-05-25 |
| 发明（设计）人： | Y·C·裴;T·卡多拉西亚;刘沂 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00;G03F7/004;G03F7/039 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供形成电子器件的方法。方法包括光刻胶图形的碱性处理且满足高密度的光刻胶图形的形成。该方法在半导体器件制造中有特别的用处。提供了一种形成电子器件的方法，所述方法包括：(a)提供包括要被图形化的一层或更多层的半导体衬底；(b)在要被图形化的一层或更多层上施加第一光敏组合物层；(c)通过图形化的光掩模将该第一层暴露于激发辐射；(d)显影该曝光的第一层以形成光刻胶图形；(e)在硬烘烤工艺中热处理该光刻胶图形；(f)采用材料处理该被硬烘烤的光刻胶图形；(g)施加热敏组合物第二层；(h)加热该热敏组合物第二层；以及(i)显影该被加热的第二层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成电子器件的方法，所述方法包括：(a)提供包括要被图形化的一层或更多层的半导体衬底；(b)在要被图形化的一层或更多层上施加第一光敏组合物层，其中该第一光敏组合物包括第一树脂成分和光激活成分；(c)通过图形化的光掩模将该第一层暴露于激发辐射；(d)显影该曝光的第一层以形成光刻胶图形；(e)在硬烘烤工艺中热处理该光刻胶图形；(f)采用可有效地使该光刻胶图形的表面碱性化的材料处理该被硬烘烤的光刻胶图形；(g)施加热敏组合物第二层，所述热敏组合物第二层与该光刻胶图形的碱性表面接触，该第二组合物包括第二树脂成分和热酸产生剂；(h)加热该热敏组合物第二层至可有效地使热酸产生剂产生酸的温度；以及(i)显影该被加热的第二层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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