[发明专利]采用不同层金属引线连出的无源器件测试去嵌方法有效
| 申请号： | 201010257290.X | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102375101A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王生荣 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R31/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 孙大为 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用不同层金属引线连出的无源器件测试去嵌方法；包括以下步骤：步骤一、测量开路结构一、开路结构二、通路结构一、通路结构二以及待测器件的S参数；其中：开路结构一只有顶层金属形成的扎针PAD；开路结构二包括顶层金属形成的扎针pad和引线以及顶层到第一层金属之间的连接部分；通路结构一是用顶层金属连通；通路结构二是用第一层金属连通；步骤二、采用开路结构一和通路结构一结合去除顶层金属寄生参数，采用开路结构二通路结构二结合去除第一层金属寄生参数。本发明可以简单、有效的去除射频无源器件测试结构的寄生参数。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 不同 金属 引线 无源 器件 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种采用不同层金属引线连出的无源器件测试去嵌方法；其特征在于，包括以下步骤：步骤一、测量开路结构一、开路结构二、通路结构一、通路结构二以及待测器件的S参数；其中：开路结构一只有顶层金属形成的扎针PAD；开路结构二包括顶层金属形成的扎针pad和引线以及顶层到第一层金属之间的连接部分；通路结构一是用顶层金属连通；通路结构二是用第一层金属连通；步骤二、采用开路结构一和通路结构一结合去除顶层金属寄生参数，采用开路结构二通路结构二结合去除第一层金属寄生参数。
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