[发明专利]N型射频LDMOS的制造方法

摘要

本发明公开了一种N型射频LDMOS的制造方法，包括步骤：在硅衬底上形成第一层P型外延层并进行P型沉阱的P型杂质离子注入；在第一层P型外延层的全部区域进行N型埋层的N型杂质离子注入；生长多层中间P型外延层和最顶层P型外延层；中间P型外延层生长后都重复步骤一和步骤二的注入工艺进行离子注入；最顶层P型外延层生长后重复步骤一的注入工艺进行离子注入；进行退火推进，形成P型沉阱和在各P型外延层界面处形成N型埋层。形成所述N型射频LDMOS的P阱、漂移区、源极、栅极、漏极。本发明方法能显著改善器件的击穿特性且不受外延层厚度增加的限制、还具有工艺成本低、可调节性和适用性强的特点。

主权项

一种N型射频LDMOS的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在一P型硅衬底上形成第一层P型外延层，在所述第一层P型外延层中形成P型沉阱的区域进行所述P型沉阱的P型杂质离子注入；步骤二、在所述第一层P型外延层的全部区域进行N型埋层的N型杂质离子注入；步骤三、重复步骤中的所述第一层P型外延层的生长工艺在所述第一层P型外延层上重复生长多层中间P型外延层和最顶层P型外延层；每层所述中间P型外延层生长后都重复步骤一中的所述P型沉阱的P型杂质离子注入工艺和步骤二中的所述N型埋层的N型杂质离子注入工艺对每层所述中间P型外延层进行离子注入；所述最顶层P型外延层生长后重复步骤一中的所述P型沉阱的P型杂质离子注入工艺对所述最顶层P型外延层进行离子注入；步骤四、对所述P型硅衬底进行退火推进，形成所述P型沉阱和在各P型外延层界面处形成所述N型埋层；步骤五、形成所述N型射频LDMOS的P阱、漂移区、源极、栅极、漏极。