[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201010257526.X | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102376830A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 凃博闵;黄世晟;杨顺贵;黄嘉宏 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种发光二极管，包括基板、缓冲层、半导体层及半导体发光结构，缓冲层位于基板之上，半导体层位于缓冲层之上，半导体发光结构位于半导体层上，所述半导体层内掩埋若干空隙。与现有技术相比，本发明的发光二极管的半导体层内部掩埋空隙，空隙可以反射半导体发光结构朝向基板一侧发出的光线，从而提高光取出效率。本发明还公开一种发光二极管制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括基板、缓冲层、半导体层及半导体发光结构，缓冲层位于基板之上，半导体层位于缓冲层之上，半导体发光结构位于半导体层上，其特征在于：所述半导体层内掩埋若干空隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司，未经展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010257526.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有无线语音功能的触控笔
- 下一篇：一种便携式平板计算机多功能键盘
