[发明专利]一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体及其制备方法无效
| 申请号： | 201010258311.X | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101913646A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 戴李宗;肖文军;吴廷华;许一婷;罗伟昂 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C01G9/02 | 分类号： | C01G9/02 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 陈永秀;马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体及其制备方法，涉及一种半导体。提供一种一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体及其制备方法。一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体为过渡金属掺杂ZnO基DMSs一维介孔晶纳米材料，分子式为Zn1-xTMxO，TM为过渡金属，x为掺杂成分的百分比，x＝0.01～0.10。将锌盐溶解在离子液体中，加热至溶液透明；往溶液中加入过渡金属盐至全部溶解，得混合溶液；将混合溶液加热回流，自然冷却至室温，将所得到沉淀依次用水和乙醇洗涤，得到的粉末干燥，即得具有室温铁磁性的一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体。晶体生长的温度低，设备要求简单，反应条件温和，溶剂非挥发，整个反应过程绿色环保，原料廉价。 | ||
| 搜索关键词： | 一维介孔晶 zno 基稀磁 半导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体，其特征在于为过渡金属掺杂ZnO基DMSs一维介孔晶纳米材料，其分子式为Zn1 xTMxO，其中TM为过渡金属，x为掺杂成分的百分比，x＝0.01～0.10。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010258311.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：含钒石煤原生矿提取五氧化二钒的焙烧方法
- 下一篇：晶片级微器件的封装方法
