[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010258579.3 | 申请日： | 2010-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN102263108A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李起洪;周文植;洪权 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/06;H01L21/8247;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器件，包括：一对柱状单元沟道，所述一对柱状单元沟道自衬底垂直延伸；掺杂的管沟道，所述掺杂的管沟道被设置为使一对柱状单元沟道的下端耦合；衬底上的绝缘层，掺杂的管沟道掩埋在所述绝缘层中；存储层，所述存储层被设置为包围柱状单元沟道的侧表面；以及控制栅电极，所述控制栅电极被设置为包围存储层。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：一对柱状单元沟道，所述一对柱状单元沟道自衬底垂直延伸；掺杂的管沟道，所述掺杂的管沟道设置为使所述一对柱状单元沟道的下端耦合；衬底上的绝缘层，所述掺杂的管沟道掩埋在所述绝缘层中；存储层，所述存储层设置为包围所述柱状单元沟道的侧表面；以及控制栅电极，所述控制栅电极设置为包围所述存储层的侧表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
