[发明专利]非矩形发光器件无效
| 申请号： | 201010258726.7 | 申请日： | 2010-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102376834A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 闫春辉;张剑平;彭晖;郭文平;赵方海;柯志杰;马欣荣 | 申请（专利权）人： | 亚威朗光电(中国)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314305 浙江省海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的高出光效率的芯片，包括外延生长衬底、半导体外延层、电极；其中，半导体外延层包括N-类型限制层、发光层和P-类型限制层；电极包括N-电极和P-电极；半导体外延层形成在外延生长衬底上，N-电极和P-电极分别形成在N-类型限制层和P-类型限制层上。芯片的顶视形状是非正方形或非矩形，包括，三角形、四边形、五边形、六边形、七边形，和八边形。四边形包括，平行四边形。一个实施例：平行四边形的芯片的相邻的两边的长度的比例等于1。芯片的侧面的形状是非矩形，芯片的侧面的形状是从一组形状中选出，该组形状包括梯形和倒梯形。 | ||
| 搜索关键词： | 矩形 发光 器件 | ||
【主权项】：
本发明的高出光效率的芯片，包括外延生长衬底、半导体外延层、电极；其中，所述的半导体外延层包括N‑类型限制层、发光层和P‑类型限制层；所述的电极包括N‑电极和P‑电极；所述的半导体外延层形成在所述的外延生长衬底上，所述的N‑电极和P‑电极分别形成在所述的N‑类型限制层和P‑类型限制层上；其特征在于，所述芯片的顶视形状是非正方形或非矩形。
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