[发明专利]制造阵列基板的方法

摘要

制造阵列基板的方法包括：形成选通线和栅极；在选通线和栅极上依次形成栅绝缘层、本征非晶硅层、无机绝缘材料层和传热层；向传热层照射激光束以将本征非晶硅层晶化为多晶硅层；去除传热层；利用缓冲氧化刻蚀剂构图无机绝缘材料层以形成与栅极对应的刻蚀阻挡层，其中构图无机绝缘材料层的第一处理时间长于完全去除无机绝缘材料层最少需要的第二处理时间；在刻蚀阻挡层和多晶硅层上依次形成掺杂非晶硅层和金属层；构图金属层以形成数据线、源极和漏极，构图掺杂非晶硅层以形成欧姆接触层，构图多晶硅层以形成有源层；在数据线、源极和漏极上形成包括露出漏极的部分的漏极接触孔的钝化层；在钝化层上形成像素电极，该像素电极通过漏极接触孔与漏极的该部分接触。

主权项

一种制造阵列基板的方法，该方法包括：形成选通线和与该选通线连接的栅极；在所述选通线和所述栅极上依次形成栅绝缘层、本征非晶硅层、无机绝缘材料层和传热层；向所述传热层上照射激光束以将所述本征非晶硅层晶化为多晶硅层；去除所述传热层；利用缓冲氧化刻蚀剂对所述无机绝缘材料层进行构图，以形成与所述栅极对应的刻蚀阻挡层，其中用于对所述无机绝缘材料层进行构图的步骤的第一处理时间长于完全去除所述无机绝缘材料层所最少需要的第二处理时间；在所述刻蚀阻挡层和所述多晶硅层上依次形成掺杂非晶硅层和金属层；对所述金属层进行构图以形成数据线、源极和漏极，对所述掺杂非晶硅层进行构图以形成欧姆接触层，并且对所述多晶硅层进行构图以形成有源层，其中，所述数据线与所述选通线交叉并与所述源极连接，所述漏极与所述源极隔开，所述源极的一端和所述漏极的一端与所述刻蚀阻挡层相交叠，所述欧姆接触层设置在所述源极和漏极的下面，并且所述有源层设置在所述欧姆接触层和所述刻蚀阻挡层的下面；在所述数据线、所述源极和所述漏极上形成钝化层，并且所述钝化层包括露出所述漏极的一部分的漏极接触孔；以及在所述钝化层上形成像素电极，并且该像素电极通过所述漏极接触孔与所述漏极的所述一部分相接触。