[发明专利]具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管及其制作工艺有效
| 申请号： | 201010259995.5 | 申请日： | 2010-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101931039A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 林素慧;吴志强 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 35101 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管及其制作工艺，在衬底上镀第一过渡层；通过光罩、蚀刻得第一图形化过渡层；在第一图形化过渡层长第一外延层；第一外延层上镀第二过渡层；通过光罩、蚀刻，得与第一图形化过渡层成十字交错排列的第二图形化过渡层；在第二图形化过渡层长第二外延层；第二外延层上镀保护层；切割出所定义尺寸的芯粒；通过湿蚀刻去除衬底上的第一图形化过渡层、第二图形化过渡层及第二外延层上的保护层，形成双层十字交错排列的贯穿孔洞结构；在第二外延层上制作导电层；通过光罩、蚀刻制作P电极、N电极。本发明芯粒的双层十字交错贯穿孔洞结构，有效降低GaN基外延生长中的位错密度、改善晶格质量、提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 双层 交错 贯穿 孔洞 氮化 发光二极管 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
具有双层交错贯穿孔洞的氮化镓基发光二极管，包括衬底及形成于衬底上的第一外延层、第二外延层，该第一外延层包含P GaN层，第二外延层包含 P GaN 层、发光区和N GaN 层，第二外延层上设置有导电层，导电层上设置有P电极，N GaN 层上设置有N电极，其特征在于：发光二极管第一外延层及第二外延层侧面具有双层十字交错排列的贯穿孔洞结构。
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