[发明专利]一种五结化合物半导体太阳能光伏电池芯片

摘要

本发明公开了一种五结化合物半导体太阳能光伏电池芯片，其关键是在现有Ge/GaInAs/InGaP三结太阳能电池材料体系之上增加具有高禁带宽度的AlPSb材料次顶电池和更高禁带宽度的ZnSSe材料顶电池。AlPSb材料次顶电池和ZnSSe材料顶电池附加到现有Ge/GaInAs/InGaP三结太阳能电池芯片之上能够扩展太阳能电池芯片的吸收谱范围，有效解决现有太阳能电池芯片对太阳辐射分布于可见光及紫外波段的大量能流无法充分吸收的问题，提高多结太阳能电池的光电转换效率。

主权项

一种五结化合物半导体太阳能光伏电池芯片，其特征在于：在锗(Ge)单晶片为衬底依次生长底电池(p‑Ge，n‑Ge)，成核层(GaAs)，缓冲层(GaInAs)，势垒层(n‑GaInAs)，第一隧道结(n++AlGaAs，p++GaInAs)，势垒层(p+GaInAs)，第二结电池(p‑GaInAs，n‑GaInAs)，第一窗口层(n+AlGaInP/AlInAs)，第二隧道结(n++GaInAs，p++AlGaAs)，第二势垒层(p+GaInP)，第三结电池(p‑GaInP，n‑GaInP)，第二窗口层(n+AlPSb)，第三隧道结(n++AlPSb，p++AlPSb)，第三势垒层(n+AlPSb)，第四结电池(p‑AlPSb，n‑AlPSb)，第三窗口层(n+AlPSb)，第四隧道结(n++ZnSSe，p++ZnSSe)，第四势垒层(n+ZnSSe)，顶电池(p‑ZnSSe，n‑ZnSSe)，第四窗口层(n+ZnSSe)，欧姆接触层(n+ZnSSe)。