[发明专利]纳米线元件的制作方法无效
| 申请号： | 201010260154.6 | 申请日： | 2010-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102372256A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 许嘉麟 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米线元件的制作方法，其包括：提供包括第一基板及位于第一基板的导电转印图案层的压印模具，导电转印图案层包括第一导电体；向导电转印图案层通交流电；将纳米线液滴至导电转印图案层并以介电泳方式将纳米线液中的纳米线阵列排列在两相邻第一导电体，该纳米线阵列连接第一导电体；提供包括第二基板及位于第二基板的被转印层的被转印体；以纳米压印方式使带有纳米线阵列的导电转印图案层与转印层贴合压印，纳米线阵列被转移至第二基板；在该第二基板形成导电图案层，导电图案层包括第二导电体，纳米线阵列连接两相邻第二导电体；及去除被转印层。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种纳米线元件的制作方法，其包括以下步骤：提供压印模具，该压印模具包括第一基板及导电转印图案层，该导电转印图案层形成第一图案，该第一基板包括具有该第一图案的压印图案层，该导电转印图案层位于该压印图案层上，该导电转印图案层包括多个相互间隔的第一导电体；向该导电转印图案层通交流电；将纳米线悬浮液滴至该导电转印图案层并以介电泳方式将该纳米线悬浮液中的纳米线阵列排列在两相邻的第一导电体上，该纳米线阵列连接该两相邻的第一导电体；提供被转印体，该被转印体包括第二基板及位于该第二基板上的被转印层；以纳米压印方式使排列有该纳米线阵列的该导电转印图案层与该被转印层贴合压印，以使该被转印层具有与该第一图案相匹配的第二图案，该纳米线阵列被转移至该第二基板上；在该被转印体上形成第一导电层以在该第二基板上形成导电图案层，该导电图案层具有与该第二图案相匹配的第三图案，该导电图案层包括多个相互间隔的第二导电体，该纳米线阵列连接两相邻的第二导电体；及去除该被转印层。
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