[发明专利]经全膜镀生产的镶嵌写入极

摘要

本发明涉及经全膜镀生产的镶嵌写入极。公开一种形成写入极的方法，该方法包括在晶片的衬底层上形成停止层，所述停止层具有位于所述衬底层中的镶嵌(大马士革)沟槽上方的开口；在所述停止层上形成缓冲层，所述缓冲层具有位于所述停止层的开口上方的开口。该方法还包括在所述晶片上镀磁性材料层，在位于所述镶嵌沟槽上方的磁性材料的区域上布置第一牺牲材，在所述晶片上进行铣削或蚀刻操作以去除不被第一牺牲材料覆盖的磁性材料以及去除第一牺牲材料。该方法还包括在所述晶片上布置第二牺牲材料，以及在所述晶片上进行抛光操作以去除位于所述镶嵌沟槽上方的磁性材料区域，以去除第二牺牲材料，以及去除所述缓冲层。

主权项

一种形成写入极的方法，包含如下步骤：在晶片的衬底层上形成停止层，所述停止层具有位于所述衬底层中的镶嵌沟槽上方的开口；在所述停止层上形成缓冲层，所述缓冲层具有位于所述停止层的所述开口上方的开口；在所述晶片上镀磁性材料层；在位于所述镶嵌沟槽上方的磁性材料区域上布置第一牺牲材料；在所述晶片上进行铣削或蚀刻操作以去除不被所述第一牺牲材料覆盖的磁性材料以及去除所述第一牺牲材料；在所述晶片上布置第二牺牲材料；以及在所述晶片上进行抛光操作以去除位于所述镶嵌沟槽上方的所述磁性材料区域，去除所述第二牺牲材料，以及去除所述缓冲层。