[发明专利]膜沉积装置无效
申请号: | 201010260542.4 | 申请日: | 2010-08-20 |
公开(公告)号: | CN101994102A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 藤浪达也;高桥伸辅;殿原浩二;藤绳淳 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | C23C16/54 | 分类号: | C23C16/54 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 柳春琦 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种膜沉积装置,包括:CVD成膜室,其被设置在基板的移动路径上,并且具有通过CVD在基板上进行膜沉积的功能;处理室,其被设置在移动路径上的CVD成膜室的上游或下游,并且具有在基板上进行预定处理的功能;和差压室,其被设置在CVD成膜室和处理室之间,并且与CVD成膜室和处理室连通。所述差压室包括:抽真空装置;气体引入装置,其用于引入以下气体中的至少一种:惰性气体,和要被供给到CVD成膜室和处理室两者中的气体;和控制装置,其控制抽真空装置和气体引入装置以将差压室保持在比CVD成膜室和处理室更高的压力。 | ||
搜索关键词: | 沉积 装置 | ||
【主权项】:
一种膜沉积装置,其中膜沉积在纵向上移动的细长基板上进行,所述膜沉积装置包括:CVD成膜室,其被设置在所述基板的移动路径上,包括原料气供给装置和第一抽真空装置,并且具有通过CVD在所述基板上进行膜沉积的功能;处理室,其被设置在所述移动路径上的所述CVD成膜室的上游或下游,包括第二抽真空装置并且具有在所述基板上进行预定处理的功能;和差压室,其被设置在所述移动路径上的所述CVD成膜室和所述处理室之间,并且与所述CVD成膜室和所述处理室连通,其中所述差压室包括:第三抽真空装置;气体引入装置,其用于引入以下气体中的至少一种:惰性气体,和要被供给到所述CVD成膜室和所述处理室两者中的气体;和控制装置,其控制所述第三抽真空装置和所述气体引入装置以将所述差压室保持在比所述CVD成膜室和所述处理室更高的压力。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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