[发明专利]利用磁传感器阵列的位置检测有效
| 申请号： | 201010261230.5 | 申请日： | 2006-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101915590A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | A·M·徳米特里夫;M·J·拉托里亚;L·F·里克斯 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G01D5/00 | 分类号： | G01D5/00;G01D5/14;G01R33/09 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘金凤;高为 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及利用磁传感器阵列的位置检测。一种磁阻传感器系统，包括：被排列成旋转阵列的多个磁阻感测部件，其中所述多个感测部件之中的至少一些磁阻感测部件彼此被以不规则的方式有角度地隔开，以便优化所述旋转阵列的性能并且满足其特定磁阻感测应用的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 传感器 阵列 位置 检测 | ||
【主权项】：
一种磁阻传感器系统，包括：被排列成旋转阵列的多个磁阻感测部件，其中所述多个感测部件之中的至少一些磁阻感测部件彼此被以不规则的方式有角度地隔开，以便优化所述旋转阵列的性能并且满足其特定磁阻感测应用的要求。
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