[发明专利]一种离子注入工艺中防止栅极损坏的方法有效
| 申请号： | 201010261589.2 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376552A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张轲;潘贤俊;车永强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;G03F7/42;G03F7/38 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子注入工艺中防止栅极损坏的方法，所述离子注入工艺包括形成光刻胶步骤、离子注入步骤、等离子体去除光刻胶步骤，在所述离子注入步骤和等离子去除光刻胶步骤之间还包括表面处理步骤，所述表面处理步骤包括：冲洗步骤；烘烤步骤；冷却步骤。本发明中所述离子注入工艺中防止栅极损坏的方法在所述离子注入步骤和等离子去除光刻胶步骤之间增加表面处理步骤，去除所述离子注入步骤中光刻胶表面形成的硬质表层和光刻胶内部形成的所述聚合物，进而避免了在等等离子体去除光刻胶步骤中，发生等离子体与所述聚合物相互作用产生爆炸，进而避免损伤栅极的情况发生，提高了器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 工艺 防止 栅极 损坏 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入工艺中防止栅极损坏的方法，所述离子注入工艺包括形成光刻胶步骤、离子注入步骤、等离子体去除光刻胶步骤，其特征在于，在所述离子注入步骤和等离子去除光刻胶步骤之间还包括表面处理步骤，所述表面处理步骤包括：冲洗步骤，利用溶剂冲洗光刻胶表面；烘烤步骤，烘烤所述光刻胶；冷却步骤，冷却所述光刻胶。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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