[发明专利]光刻设备和器件制造方法有效
| 申请号： | 201010262288.1 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101995776A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | W·M·考贝基;M·A·范德克尔克霍夫;H·V·考克 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻设备和器件制造方法。本发明也公开了一种确定光刻设备的图案形成装置的更高阶变形的方法以及相关设备。该更高阶变形采用透射成像装置来测量。在主实施例中，使用增强型掩模板，其可以具有位于周界中、像场的划线中或像场自身中的附加的对准光栅。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻设备，所述光刻设备布置用于将图案从图案形成装置转移到衬底上，其中所述设备能够操作用于测量所述图案形成装置的更高阶变形和/或像平面偏差，所述设备包括：用于透射检测的装置；和处理器，所述处理器配置和布置用于使用从所述用于透射检测的装置接收的信号对所述图案形成装置的更高阶变形进行建模，其中所述图案形成装置具有主成像场和周界，且所述设备能够操作用于使用从对准结构产生的信号对所述更高阶变形进行建模，所述对准结构包括在所述周界的至少三个侧面中和/或包括在所述像场中。
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