[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 201010262887.3 | 申请日： | 2010-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN102376865A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 赖志铭 | 申请（专利权）人： | 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L25/13 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市松江区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种发光二极管，包括基板、设于基板上的芯片、及密封所述芯片的封装体，所述基板为不导电陶瓷材料，基板上直接形成电路层，所述芯片直接粘结于基板上并与电路层电性连接，有效减小芯片与基板之间的界面层，芯片产生的热量能够直接传导至基板散发，提升发光二极管的发光效率与使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括基板、设于基板上的芯片、及密封所述芯片的封装体，其特征在于：所述基板为不导电陶瓷材料，基板上直接形成电路层，所述芯片直接粘结于基板上并与电路层电性连接。
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