[发明专利]清洗晶片的方法无效
| 申请号： | 201010263256.3 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102373480A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 吕增富 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23G5/036 | 分类号： | C23G5/036 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;谢栒 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种清洗晶片的方法，所述晶片上具有铝垫，其中，所述方法包括：使用四甲基氢氧化铵水溶液对所述晶片进行清洗；所述四甲基氢氧化铵水溶液中的四甲基氢氧化铵的含量为1.0重量％至9.8重量％，所述清洗的时间为15秒至40秒，所述清洗在15℃至30℃的温度下进行。所述方法还可以包括状态稳定处理步骤。根据本发明的清洗具有铝垫的晶片的方法，可以有效地减少晶片上的铝垫的侵蚀缺陷并阻止其恶化或传染至其他晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 晶片 方法 | ||
【主权项】：
一种清洗晶片的方法，所述晶片上具有铝垫，其中，所述方法包括以下清洗步骤：使用四甲基氢氧化铵水溶液对所述晶片进行清洗；所述四甲基氢氧化铵水溶液中的四甲基氢氧化铵的含量为1.0重量％至9.8重量％，所述清洗步骤的持续时间为15秒至40秒，所述清洗步骤在15℃至30℃的温度下进行。
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