[发明专利]用于制作相变随机存取存储器存储单元的方法有效
| 申请号： | 201010263267.1 | 申请日： | 2010-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102376881A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制作相变随机存取存储器存储单元的方法，包括：提供前端器件结构，该前端器件结构包括底部电极、相变电阻层和绝缘层并且相变电阻层的表面露出在绝缘层的表面上(S501)；对相变电阻层的表面进行离子注入(S502)；在相变电阻层的表面和绝缘层的表面上形成蚀刻停止层(S503)；在蚀刻停止层上形成介电层(S504)；蚀刻介电层和蚀刻停止层，直至露出相变电阻层的表面，以在介电层和蚀刻停止层中形成位于相变电阻层正上方的开口(S505)；以及在开口中填充金属材料，以形成顶部电极(S506)。该方法能够减小在蚀刻介电层的过程中由于蚀刻停止层厚度不均匀等而造成的相变材料蚀刻损失。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 相变 随机存取存储器 存储 单元 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制作相变随机存取存储器存储单元的方法，包括：提供前端器件结构，所述前端器件结构包括底部电极、相变电阻层和绝缘层，所述底部电极和所述相变电阻层形成于所述绝缘层中，所述相变电阻层位于所述底部电极上方，并且所述相变电阻层的表面露出在所述绝缘层的表面上；对所述相变电阻层的表面进行离子注入；在所述相变电阻层的表面和所述绝缘层的表面上形成蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上形成介电层；蚀刻所述介电层和所述蚀刻停止层，直至露出所述相变电阻层的表面，以在所述介电层和所述蚀刻停止层中形成位于所述相变电阻层正上方的开口；以及在所述开口中填充金属材料，以形成顶部电极。
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