[发明专利]N型射频LDMOS中多晶硅P型沉阱的制造方法

摘要

本发明公开了一种N型射频LDMOS中多晶硅P型沉阱的制造方法，包括步骤：在P型硅衬底上形成P型外延层并刻蚀出V型槽；在V型槽侧壁上形成第一氧化层；在硅衬底上淀积第一层多晶硅并进行P型杂质的离子注入；在第一层多晶硅上淀积第二层多晶硅并将V型槽完全填满；进行研磨使多晶硅表面平整化；在硅衬底上形成第二氧化层作为沉阱区域外的保护层；进行退火推进，将P型杂质推进整个V型槽的多晶硅中并形成多晶硅P型沉阱；形成N型射频LDMOS的P阱、漂移区、源极、栅极、漏极。本发明方法能提高器件的击穿电压、缩小版图面积、提高器件密度、工艺参数可调性强、适用范围广。

主权项

一种N型射频LDMOS中多晶硅P型沉阱的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在一P型硅衬底上形成P型外延层，在所述P型外延层上的沉阱区域刻蚀出V型槽；步骤二、在所述V型槽侧壁上形成第一氧化层，形成方法为：在所述P型硅衬底上形成所述第一氧化层，去除所述V型槽底部表面以及所述V型槽外部的所述P型外延层表面的所述第一氧化层，只保留所述V型侧壁上的所述第一氧化层；步骤三、在所述P型硅衬底上淀积第一层多晶硅，并对所述第一层多晶硅进行P型杂质的离子注入，所述第一层多晶硅的厚度满足不填满所述V型槽的条件；步骤四、在所述第一层多晶硅上淀积第二层多晶硅，淀积后所述第一层多晶硅和所述第二层多晶硅总厚度满足将所述V型槽完全填满的条件；步骤五、对所述P型硅衬底进行研磨，去除所述V型槽外部的所述P型外延层上的所述第一层多晶硅和所述第二层多晶硅并使所述V型槽上部的所述第一层多晶硅和所述第二层多晶硅表面平整化；步骤六、在所述P型硅衬底上形成第二氧化层，所述第二氧化层作为所述沉阱区域外的保护层；步骤七、对所述P型硅衬底进行退火推进，将所述第一层多晶硅中离子注入的P型杂质推进整个所述V型槽中的所述第一层多晶硅和第二层多晶硅中，形成多晶硅P型沉阱；步骤八、形成所述N型射频LDMOS的P阱、漂移区、源极、栅极、漏极。