[发明专利]一种绝缘体上硅可集成大电流P型组合半导体器件

摘要

一种提高电流密度的绝缘体上硅可集成大电流P型半导体组合器件，包括：N型衬底及其上设埋氧层，在埋氧层上设被分隔成区域Ⅰ和Ⅱ的N型外延层，Ⅰ区包括：P型漂移区、N型深阱、P型缓冲阱、N型漏区、P型源区和N型体接触区，在硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，Ⅱ区包括：P型三极管漂移区、N型深阱、P型三极管缓冲阱、N型发射区和P型基区、P型源区和N型体接触区，硅表面设有场氧化层和栅氧化层，在栅氧化层上设有多晶硅栅，其特征在于P型基区包在P型缓冲区内部，N型漏区上的漏极金属与P型基区上的基极金属通过金属层连通。本发明在不增加器件面积及降低器件其他性能的基础上显著提升器件的电流密度。

主权项

一种绝缘体上硅可集成大电流P型组合半导体器件，包括：N型硅衬底(1)，在N型硅衬底(1)上设有埋氧层(2)，其特征在于，在埋氧层(2)中央上方处设有N型深阱(16)，在N型深阱(16)上设有P型环形源区(11)和N型体接触区(12)，所述P型环形源区(11)环绕在N型体接触区(12)的外部，且在P型源区(11)和N型体接触区(12)上设有用于连通P型源区(11)和N型体接触区(12)的源极金属(72)，在埋氧层(2)上还设有第一隔离区(101)和第二隔离区(102)，所述第一隔离区(101)和第二隔离区(102)向埋氧层(2)中心延伸并由此分隔形成第一区域(Ⅰ)和第二区域(Ⅱ)，在第一区域(Ⅰ)内设有P型横向绝缘栅双极型晶体管，在第二区域(Ⅱ)内设有NPN型高压双极型晶体管和P型横向双扩散金属氧化层场效应晶体管，所述的P型横向绝缘栅双极型晶体管的源区采用所述的P型环形源区(11)，所述的NPN型高压双极型晶体管的集电区采用所述的N型体接触区(12)，所述的P型横向双扩散金属氧化层场效应晶体管的源区采用所述的P型环形源区(11)，所述的N型体接触区(12)同时为所述的P型横向绝缘栅双极型晶体管的体接触区，连接于P型横向绝缘栅双极型晶体管漏极的漏极金属(70)通过金属层与连接于NPN型高压双极型晶体管基极的基极金属(70’)连接。