[发明专利]一种硅片边缘膜厚测量方法

摘要

一种硅片边缘膜厚测量方法属于化学机械抛光膜厚测量技术领域。通过本发明中的数学模型可以对边缘膜厚测量曲线进行修正，使其尽可能与真实边缘膜厚曲线一致，使用本发明后测量得到的边缘膜厚值可作为真实边缘膜厚值。本发明解决了电涡流测量硅片膜厚存在的所测边缘膜厚失真的问题，优点在于不用改变硬件设施，只需对数学模型进行修改；使用时，仅需进行简单的离线标定，不会影响化学机械抛光的产量。

主权项

一种硅片边缘膜厚测量方法，其特征在于，所述方法是在计算机中依次按以下步骤进行的：步骤(1)：计算机初始化；设定：电涡流传感器的直径用D表示，被测点x，为被测硅片水平方向直径上的点，取值范围为x0‑2D～x0之间，x0为被测硅片水平方向直径上的膜厚边缘点，Tm(x)为被测点x的测量膜厚值，Tr(x)为被测点x的实际膜厚值，d为膜厚测量修正系数，与所述电涡流传感器尺寸、形状、工作距离等参数相关，待标定；步骤(2)：确定所述膜厚测量修正系数d；步骤(2.1)：使用长度测量仪器测出被测点x的值，以及x0的值；步骤(2.2)：采用四点探针法测量出所述被测点x处硅片的实际厚度值Tr(x)；步骤(2.3)：采用所述的电涡流传感器测出所述被测点x处的膜厚测量值Tm(x)；步骤(2.4)：把步骤(2.1)到步骤(2.3)得到的x值、Tr(x)值和Tm(x)值输入所述计算机，按下式求出所述膜厚修正系数，用d表示： T r ( x ) = e x 0 - x d + e x - x 0 d e x 0 - x d - e x - x 0 d · T m ( x ) , 步骤(3)：按照设定的采样质点，所述电涡流传感器沿着点x0‑2D～x0的方向逐点测量各采样点x上的膜厚测量值Tm(x)；步骤(4)：把步骤(3)得到的各采样点x上的膜厚测量值逐个代入下式，求出对应的实际厚度值Tr(x)： T r ( x ) = e x 0 - x d + e x - x 0 d e x 0 - x d - e x - x 0 d · T m ( x ) , 其中，膜厚修正系数d采用步骤(2.4)得到的值。