[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201010266857.X | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102244019A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 徐君蕾;何明哲;郑明达;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体装置及其制造方法。该制造方法包括在一封盖(encapsulating)层上方形成一凸块下金属(under-bump??metallurgy，UBM)层，接着在封盖层的开口内的凸块下金属层上形成一凸块(bump)层。在从封盖层的上表面去除多余的凸块层材料之后，去除封盖层直至凸块层的一顶部突出于封盖层的上表面。本发明可避免UBM底切问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括：在具有一金属垫区的一半导体基底上方形成一封盖层，其中该封盖层具有一开口露出一部分的该金属垫区；在该露出的金属垫区部分上方的该封盖层的该开口内形成一凸块下金属层；在该凸块下金属层上方形成一凸块层，以填入该封盖层的该开口且延伸至该封盖层的上表面；以及自该封盖层的该上表面去除该凸块层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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