[发明专利]有机电激发光元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201010266860.1 申请日: 2010-08-24
公开(公告)号: CN101958401A 公开(公告)日: 2011-01-26
发明(设计)人: 谢信弘 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种有机电激发光元件及其制造方法,该元件包括一第一图案化导电层、一栅绝缘层、一图案化半导体层、一第二图案化导电层、一有机功能层、一阴极层。第一图案化导电层配置于基板上。栅绝缘层配置于基板上以覆盖第一图案化导电层。图案化半导体层配置于栅绝缘层上。一第二图案化导电层配置于栅绝缘层上且第二图案化导电层包括一粘着层、一中间层及一阳极层。粘着层与栅绝缘层接触。中间层位于粘着层与阳极层之间。粘着层、中间层与阳极层实质上具有相同的图案。有机功能层配置于第二图案化导电层。阴极层配置于有机功能层。本发明可降低材料的成本以及制作成本。
搜索关键词: 机电 激发 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种有机电激发光元件,适于配置在一基板上,该有机电激发光元件包括:一第一图案化导电层,配置于该基板上,该第一图案化导电层包括一第一栅极与一第二栅极;一栅绝缘层,配置于该基板上以覆盖该第一栅极与该第二栅极,其中该栅绝缘层具有一接触窗以将该第二栅极暴露;一图案化半导体层,配置于该栅绝缘层上,该图案化半导体层包括一位于该第一栅极上方的第一沟道层以及一位于该第二栅极上方的第二沟道层;一第二图案化导电层,配置于该栅绝缘层上,该第二图案化导电层包括一第一源极、一第一漏极、一第二源极、一第二漏极以及一像素电极,其中该第一源极、该第一漏极与该第一沟道层接触,该第二源极、该第二漏极与该第二沟道层接触,而该第一漏极通过该接触窗与该第二栅极电性连接,且该第二漏极与该像素电极连接,该第二图案化导电层包括:一粘着层,与该栅绝缘层接触;一中间层;以及一阳极层,该中间层位于该粘着层与该阳极层之间,而该粘着层、该中间层与该阳极层实质上具有相同的图案;一有机功能层,配置于该像素电极上;以及一阴极层,配置于该有机功能层。
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