[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010268635.1 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102386056A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 黄玮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法具体包括：提供衬底；在所述衬底中形成对位游标掺杂区；在具有对位游标掺杂区的衬底上覆盖氧化层，所述对位游标掺杂区的氧化层即为对位游标，所述衬底上的对位游标掺杂区部分为第一区域，对位游标掺杂区之外的部分为第二区域；去除第二区域的氧化层而暴露出衬底表面；以所述第一区域的氧化层为掩膜，在衬底表面形成外延层。通过本发明所提供的方法，解决了外延生长后外延层将对位游标平坦化的问题；且本发明所提供的方法取消了零层光刻和刻蚀，节省了设备产能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底中形成对位游标掺杂区；在具有对位游标掺杂区的衬底上覆盖氧化层，所述衬底上的对位游标掺杂区部分为第一区域，对位游标掺杂区之外的部分为第二区域；去除第二区域的氧化层而暴露出衬底表面；以第一区域的氧化层为掩膜，在衬底表面形成外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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