[发明专利]CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 201010269186.2 | 申请日： | 2006-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101937924A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 朴东赫 | 申请（专利权）人： | 科洛司科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 杨勇;郑建晖 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器，包括：第一光电二极管；浮动扩散节点，设置为与所述第一光电二极管相距一预定距离；第一转移晶体管的栅图案的一部分，设置在所述第一光电二极管和所述浮动扩散节点之间；驱动晶体管的栅图案的一部分，设置为重叠所述浮动扩散节点的一部分，以形成重叠部分；接触孔，设置为暴露所述浮动扩散节点的一部分和所述重叠部分的一部分；以及第一接触部，设置为填充在所述接触孔中，且既与所述浮动扩散节点又与所述重叠部分接触。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器，包括：第一光电二极管；浮动扩散节点，设置为与所述第一光电二极管相距一预定距离；第一转移晶体管的栅图案的一部分，设置在所述第一光电二极管和所述浮动扩散节点之间；驱动晶体管的栅图案的一部分，设置为重叠所述浮动扩散节点的一部分，以形成重叠部分；接触孔，设置为暴露所述浮动扩散节点的一部分和所述重叠部分的一部分；以及第一接触部，设置为填充在所述接触孔中，且既与所述浮动扩散节点又与所述重叠部分接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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