[发明专利]一种具有背注增强结构的IGBT及其制造方法无效
| 申请号： | 201010270911.8 | 申请日： | 2010-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN102386220A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 吴海平;贾荣本 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有背注增强结构的IGBT，属于晶体管结构领域。该发明将传统IGBT均匀的P+型集电极区改为N-型漂移区与P+型集电极区相接触的面为凸凹结构，相应的P+型集电极区、集电极也为凸凹结构。另外，本发明还提供了一种具有背注增强结构的IGBT的制造方法。本发明中IGBT的N-型漂移区与P+型集电极区相接触的面为凸凹结构，相应的P+型集电极区、集电极也为凸凹结构。增大了集电极区PN结的面积，达到了减小IGBT正向导通压降的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 增强 结构 igbt 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有背注增强结构的IGBT，包括：集电极、P+型集电极区、N‑型漂移区、第一体区、第二体区、第一N+型发射极区、第二N+型发射极区、栅氧化层、栅极、绝缘层、发射极；器件从底层往上依次为集电极、P+型集电极区、N‑型漂移区；所述N‑型漂移区上部依次为第一体区、第二体区，第一体区与第二体区被N‑型漂移区突出的部分隔离开；第一N+型发射极区与第一体区较薄部分相连、第二N+型发射极区与第二体区较薄部分相连；栅氧化层与N‑型漂移区突出的部分、第一体区较薄部分、第二体区较薄部分、第一N+型发射极区、第二N+型发射极区相连；栅极与栅氧化层相连；绝缘层位于栅极与发射极之间；发射极分别与第一体区、绝缘层、第二体区相连；其特征在于：N‑型漂移区与P+型集电极区相接触的面设有凸凹结构，相应的P+型集电极区、集电极也为凸凹结构。
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