[发明专利]一种降低半导体衬底表面磷浓度的方法有效
| 申请号： | 201010271183.2 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102386057A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 舒畅;郭国超 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种降低半导体表面磷浓度的方法，包括：对半导体衬底进行清洗、烘干；将所述半导体衬底表面暴露于氢气流量为F≥3000cm3/min的氛围中，保持时间T≥20分钟。由于氢原子更容易与该半导体表面的悬挂键结合，通过减少碰撞降低半导体表面磷原子的浓度。从效果上看，氢原子的存在修饰半导体衬底表面的悬挂键状况，阻碍了磷原子与悬挂键的结合。该方法成本较低，实现方便，解决在硅片暴露于含有磷原子的空气中导致MOS晶体管氧化层相关电学参数漂移，甚至器件性能降低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 半导体 衬底 表面 浓度 方法 | ||
【主权项】：
一种降低半导体表面磷浓度的方法，其特征在于，包括：对半导体衬底进行清洗、烘干；将所述半导体衬底表面暴露于氢气流量为F≥3000cm3/min的氛围中，保持时间T≥20分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
