[发明专利]一种存储器阵列及编程方法无效
| 申请号： | 201010271188.5 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102385920A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器阵列及编程方法，通过将进行编程动作的第一存储器单元及与其位于同一行、且相邻的第二存储器单元的漏端电压钳制在一相同电位上，使与第二存储器单元源/漏端耦合的相邻两位线具有相同的电压，其间不存在压降，此存储器单元上无电流流过，从而防止泄漏电流的产生。本发明提供的一种存储器阵列编程方法还进一步将相邻位线间可能存在的较大电压差分解为若干小于存储器单元阈值电压的压降，进一步保证除进行编程动作的第一存储器单元外，其他存储器单元均处于截止状态，无电流流经，从而有效防止编程过程中对不涉及编程动作的存储器单元产生干扰，进一步提高其编程动作的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 阵列 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器阵列，包括：多行及多列存储器单元；多个字线，其耦合到所述多行存储器单元；多个位线，其耦合到所述多列存储器单元；多个预充电电路，为所述多个字线及多个位线提供工作电压或工作电流；其特征在于，该存储器阵列还包括：钳位电路，在所述存储器阵列编程过程中，将与进行编程动作的第一存储器单元漏端耦合的第一位线、以及与第二存储器单元漏端耦合的第二位线电压钳制在相同且稳定的漏电压上，其中，所述第二存储器单元与所述第一存储器单元位于同一行，且二者相邻。
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