[发明专利]氮化物半导体元件及其制造方法及半导体层的制造方法有效
| 申请号： | 201010271331.0 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN102005523A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 驹田聪 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体元件及其制造方法及半导体层的制造方法。氮化物半导体层通过在氮化硅层上堆叠具有相对于氮化硅层的表面倾斜的表面的第一氮化物半导体层，然后在第一氮化物半导体层上堆叠第二氮化物半导体层来制造，氮化物半导体元件和氮化物半导体发光元件的每个都包括氮化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体元件，包括：基板；第三氮化物半导体层，具有提供在所述基板上的单层结构或多层结构；氮化硅层，提供在所述第三氮化物半导体层上；第一氮化物半导体层，提供在所述氮化硅层上；以及第二氮化物半导体层，提供在所述第一氮化物半导体层上，所述第一氮化物半导体层的至少一部分具有相对于所述氮化硅层的表面倾斜的表面。
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