[发明专利]用于晶体硅太阳能电池的减反钝化复合膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010272066.8 申请日: 2010-09-01
公开(公告)号: CN102386243A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 李翔;黄建华;刘锋;陈宁;吴春健 申请(专利权)人: 江苏林洋新能源有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 226200 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 晶体硅太阳能电池的减反钝化复合膜,用于提高太阳能电池封装后组件的效率。所述复合膜由二层膜构成,一层含氢氮化硅层(2),第二层为二氧化钛层(3)。其中含氢氮化硅层(2)直接沉积在晶体硅电池的朝向阳光的表面上,起到对电池的钝化作用。所述的二氧化钛层(3)则沉积在含氢氮化硅层(2)的表面上,起到减少入射光的反射的作用。本发明的减反钝化膜的制备方法为先在晶体硅太阳能电池(1)的表面上用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积含氢氮化硅层(2),然后在含氢氮化硅层(2)上用热喷涂工艺沉积二氧化钛层(3),也可以用常压化学气相沉积(APCVD)方法沉积二氧化钛层(3)。此减反钝化复合膜的制作工艺简单,易于在工业化生产中实现。
搜索关键词: 用于 晶体 太阳能电池 钝化 复合 及其 制备 方法
【主权项】:
一种用于晶体硅太阳能电池的减反钝化复合膜,其特征在于:所述的减反钝化复合膜由一层含氢氮化硅层(2)和一层二氧化钛层(3)组成,所述的含氢氮化硅层(2)直接沉积在晶体硅太阳能电池的朝向阳光的表面上;所述的二氧化钛层(3)则沉积在该含氢氮化硅层(2)上。
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