[发明专利]用于晶体硅太阳能电池的减反钝化复合膜及其制备方法无效
申请号: | 201010272066.8 | 申请日: | 2010-09-01 |
公开(公告)号: | CN102386243A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 李翔;黄建华;刘锋;陈宁;吴春健 | 申请(专利权)人: | 江苏林洋新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 226200 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 晶体硅太阳能电池的减反钝化复合膜,用于提高太阳能电池封装后组件的效率。所述复合膜由二层膜构成,一层含氢氮化硅层(2),第二层为二氧化钛层(3)。其中含氢氮化硅层(2)直接沉积在晶体硅电池的朝向阳光的表面上,起到对电池的钝化作用。所述的二氧化钛层(3)则沉积在含氢氮化硅层(2)的表面上,起到减少入射光的反射的作用。本发明的减反钝化膜的制备方法为先在晶体硅太阳能电池(1)的表面上用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法沉积含氢氮化硅层(2),然后在含氢氮化硅层(2)上用热喷涂工艺沉积二氧化钛层(3),也可以用常压化学气相沉积(APCVD)方法沉积二氧化钛层(3)。此减反钝化复合膜的制作工艺简单,易于在工业化生产中实现。 | ||
搜索关键词: | 用于 晶体 太阳能电池 钝化 复合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种用于晶体硅太阳能电池的减反钝化复合膜,其特征在于:所述的减反钝化复合膜由一层含氢氮化硅层(2)和一层二氧化钛层(3)组成,所述的含氢氮化硅层(2)直接沉积在晶体硅太阳能电池的朝向阳光的表面上;所述的二氧化钛层(3)则沉积在该含氢氮化硅层(2)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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