[发明专利]形成电子器件的方法有效
| 申请号： | 201010272367.0 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101963756A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | Y·C·裴;T·卡多拉西亚;刘沂 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/30;G03F7/20;H01L21/027;H01L27/04;H01L21/768;G03F7/004 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供形成电子器件的方法。方法包括光刻胶图形的碱性处理且满足高密度的光刻胶图形的形成。该方法在半导体器件制造中有特别的用处。提供了一种形成电子器件的方法，所述方法包括：(a)提供包括一层或更多层要被图形化的层的半导体衬底；(b)在该一层或更多层上形成光刻胶图形；(c)用能够有效使该光刻胶图形的表面碱性化的材料处理该光刻胶图形；(d)在硬烘烤工艺中热处理该光刻胶图形；(e)在该光刻胶图形的第一多个开口中施加组合物层；(e)将该层暴露于使该酸产生剂产生酸的环境；以及(f)用显影剂溶液接触该光刻胶图形和该层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 电子器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成电子器件的方法，所述方法包括：(a)提供包括一层或更多层要被图形化的层的半导体衬底；(b)在该一层或更多层上形成光刻胶图形，该光刻胶图形包括第一多个开口；(c)用能够有效使该光刻胶图形的表面碱性化的材料处理该光刻胶图形；(d)在硬烘烤工艺中热处理该光刻胶图形；(e)在该光刻胶图形的第一多个开口中施加组合物层，该组合物包括树脂成分和酸产生剂；(e)将该层暴露于使该酸产生剂产生酸的环境；以及(f)用显影剂溶液接触该光刻胶图形和该层。
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