[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201010273338.6 | 申请日: | 2008-09-23 |
公开(公告)号: | CN101969053A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 蔡佳伦;倪庆羽;陈志杰;钱文正 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/60 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置包含:半导体晶片,具有第一表面;导电电极,暴露于该第一表面;保护层,覆盖该半导体晶片,该保护层具有在该导电电极上的贯穿的保护层开口;重布线路层,在该保护层上,该重布线路层经由该保护层开口电连接该导电电极,该重布线路层具有铝层;镍/金层,在该重布线路层的该铝层的上表面;以及防焊层,在该保护层与该重布线路层上,暴露出该重布线路层的端子及其上方的该镍/金层。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,包含:半导体晶片,具有第一表面;导电电极,暴露于该第一表面;保护层,覆盖该半导体晶片,该保护层具有在该导电电极上的贯穿的保护层开口;重布线路层,在该保护层上,该重布线路层经由该保护层开口电连接该导电电极;防焊层,在该保护层与该重布线路层上,暴露出该重布线路层的端子;以及金属层,嵌于该保护层中。
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