[发明专利]一种采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法有效
| 申请号： | 201010273591.1 | 申请日： | 2010-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN102011106A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;王莎莎;王芳;曲长庆;孙大智 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C23C16/56 | 分类号： | C23C16/56;C23C16/27 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法，步骤如下：1)采用热化学机械抛光工艺(TCMP)对金刚石薄膜表面大的凹凸部分进行第一次抛光处理，即将金刚石薄膜浸在抛光盘上熔融态的氧化剂中，同时用金刚石磨料对金刚石薄膜进行热化学机械抛光；2)采用等离子体刻蚀工艺，利用等离子体刻蚀设备对上述金刚石薄膜基片表面进行第二次微刻蚀修饰，即用激发的气体等离子体对金刚石表面进行微刻蚀处理，去除残留损伤，实现高度平坦化。本发明的优点是：采用热化学机械抛光工艺(TCMP)与等离子体刻蚀抛光的复合抛光工艺，综合了各种单一抛光形式的优点，而且克服了其各种缺点，提高了抛光的效率、面积和质量，同时也降低了对环境的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 复合 工艺 进行 金刚石 薄膜 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种采用复合工艺进行金刚石薄膜平坦化的方法，其特征在于步骤如下：1)采用热化学机械抛光工艺(TCMP)对金刚石薄膜表面大的凹凸部分进行第一次抛光处理，即将金刚石薄膜浸在抛光盘上熔融态的氧化剂中，同时用金刚石磨料对金刚石薄膜进行热化学机械抛光；2)采用等离子体刻蚀工艺，利用等离子体刻蚀设备对上述金刚石薄膜基片表面进行第二次微刻蚀修饰，即用激发的气体等离子体对金刚石表面进行微刻蚀处理，去除残留损伤，实现高度平坦化。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
