[发明专利]高性能CMOS器件

摘要

本发明提出一种高性能CMOS器件，包括：体Si衬底，所述体Si衬底包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS器件结构包括形成于所述体Si衬底之上的第一栅堆叠结构，形成于所述第一栅堆叠结构两侧的第一源漏极，覆盖所述第一栅堆叠结构和所述第一源漏极的具有张应力的氮化物覆盖层。PMOS器件结构包括形成于衬底凹槽中的第一应变SiGe层，形成于第一应变SiGe层之上的Si帽层，形成于Si帽层之上的第二栅堆叠结构，和形成于第二栅堆叠结构两侧的第二源漏极。本发明实施例的PMOS器件结构采用Si-SiGe-Si结构，而NMOS器件结构采用应变Si结构，从而可以极大地改善器件的性能，提高CMOS器件的运算速度。

主权项

一种高性能互补金属氧化物半导体CMOS器件，其特征在于，包括：Si衬底，所述Si衬底包括NMOS区和PMOS区，其中，所述NMOS区和PMOS区之间具有第一隔离结构；位于所述NMOS区中的NMOS器件结构，所述NMOS器件结构包括：形成于所述Si衬底之上的第一栅堆叠结构，以及位于所述第一栅堆叠结构两侧的一层或多层侧墙；形成于所述第一栅堆叠结构两侧的第一源漏极；和覆盖所述第一栅堆叠结构和所述第一源漏极的具有张应力的氮化物覆盖层；位于所述PMOS区中的PMOS器件结构，所述PMOS器件结构包括：形成于所述Si衬底之上的第一应变SiGe层；形成于所述第一应变SiGe层之上的Si帽层；形成于所述Si帽层之上的第二栅堆叠结构，以及位于所述第二栅堆叠结构两侧的一层或多层侧墙；和形成于所述第二栅堆叠结构两侧的第二源漏极。