[发明专利]形成场效晶体管的方法及形成集成电路的方法有效
| 申请号： | 201010274715.8 | 申请日： | 2007-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN102013412A | 公开（公告）日： | 2011-04-13 |
| 发明（设计）人： | 金永华;库纳尔·R·帕雷克 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明包括形成场效应晶体管的方法、形成场效应晶体管栅极的方法、形成包含晶体管栅极阵列及在所述栅极阵列外围的电路的集成电路的方法及形成包含包括第一栅极及第二接地隔离栅极的晶体管栅极阵列的集成电路的方法。在一个实施方案中，一种形成场效应晶体管的方法包括在衬底的半导电材料(11)上方形成掩蔽材料(22、24、26)。形成穿过掩蔽材料(22、24、26)并进入半导电材料(11)中的沟槽(30)。在半导电材料(11)中的沟槽(30)内形成栅极介电材料(32)。在掩蔽材料(22、24、26)中的沟槽(30)内且在栅极介电材料(32)上方的半导电材料(11)中的沟槽(30)内沉积栅极材料(34)。形成源极/漏极区域。本发明还预期其它方面及实施方案。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 晶体管 方法 集成电路 | ||
【主权项】：
一种形成集成电路的方法，所述集成电路包含晶体管栅极阵列及在所述栅极阵列外围的电路，所述方法包含：在衬底的半导电材料上方形成掩蔽材料；形成穿过所述掩蔽材料且进入所述半导电材料中的阵列电路沟槽；在所述掩蔽材料中的所述阵列电路沟槽内及所述半导电材料中的所述阵列电路沟槽内沉积阵列栅极材料；在沉积所述阵列栅极材料之后，形成穿过所述掩蔽材料的外围电路沟槽；及在所述掩蔽材料内的所述外围电路沟槽内沉积外围电路栅极材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010274715.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：核酸类的序列选择性提纯方法
- 下一篇：网络接入方法及网络设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
