[发明专利]一种CdTe电池过渡层及其制备方法及CdTe电池有效
申请号: | 201010274863.X | 申请日: | 2010-08-31 |
公开(公告)号: | CN102386244A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 邓瑞;周勇;曹文玉 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明属于化合物太阳能电池技术领域,具体公开了一种CdTe太阳能电池过渡层。其包括ZnTe层和Cu层交替堆积的多层结构;多层结构中与CdTe层接触的为第一层,第一层为ZnTe层;多层结构中ZnTe层的厚度范围为10~40nm,多层结构中Cu层的厚度为1~10nm;多层结构的总厚度为25~120nm。本发明还公开了该CdTe电池过渡层的其制备方法及使用该过渡层的CdTe电池。本发明所提供的CdTe电池的过渡层,可以有效抑制Cu原子扩散所带来的电池性能衰减的问题,电池性能稳定。并且过渡层的制备方法简单,可以大规模流水线生产。并且条件参数易于控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 cdte 电池 过渡 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种CdTe电池过渡层,包括ZnTe层和Cu层交替堆积的多层结构;多层结构中与CdTe层接触的为第一层,所述第一层为ZnTe层;所述多层结构中ZnTe层的厚度范围为10~40nm,所述多层结构中Cu层的厚度为1~10nm;所述多层结构的总厚度为25~120nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的