[发明专利]制备半导体样品的方法无效
| 申请号： | 201010274979.3 | 申请日： | 2010-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102384865A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 庞凌华;陈柳;齐瑞娟;王玉科;何伟业 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备半导体样品的方法，包括：(a)提供前端器件结构，前端器件结构上具有金属间介电层，金属间介电层中具有大马士革结构；(b)在大马士革结构中和金属间介电层上形成金属层，金属层高于金属间介电层；(c)对步骤(b)形成的结构进行减薄处理，形成半导体样品。采用本发明的方法来制作具有大马士革结构的TEM观察样品，能够有效解决传统工艺中的TEM观察样品减薄处理后其结构发生扭曲变形的问题，提高制备具有大马士革结构的TEM观察样品的可靠性和准确性，进而提高通过其观测结构所进行的失效分析的准确性和可靠性。并且本实施例的方法实施难度小、实施成本较低，具有很高的实用性。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 半导体 样品 方法 | ||
【主权项】：
一种制备半导体样品的方法，包括：(a)提供前端器件结构，所述前端器件结构上具有金属间介电层，所述金属间介电层中具有大马士革结构；(b)在所述大马士革结构中和所述金属间介电层上形成金属层，所述金属层高于所述金属间介电层；(c)对步骤(b)形成的结构进行减薄处理，形成所述半导体样品。
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