[发明专利]制作半导体器件结构的方法有效

专利信息
申请号: 201010275136.5 申请日: 2010-09-03
公开(公告)号: CN102386127A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 黄敬勇;韩秋华 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 北京市磐华律师事务所 11336 代理人: 董巍;顾珊
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提出了一种制作半导体器件结构的方法,包括提供前端器件层结构,具有衬底和位于该衬底上方的栅极结构,栅极结构两侧的衬底中形成有有源区,所述衬底的表面依序形成有刻蚀停止层、层间介质层和图案化的掩膜层,该图案化的掩膜层具有对应于需要制备位线接触孔的第一开口,且该第一开口暴露出所述层间介质层的表面;以所述图案化的掩膜层为掩膜,对所述第一开口下方的层间介质层进行第一刻蚀,再对剩余的所述层间介质层进行第二刻蚀以将其全部去除,以暴露出所述有源区和所述栅极结构上方的所述刻蚀停止层;对所述暴露出的刻蚀停止层进行第三刻蚀以将其全部去除,形成位线接触孔。本发明的方法可证接触孔具有理想的外形轮廓。
搜索关键词: 制作 半导体器件 结构 方法
【主权项】:
一种制作半导体器件结构的方法,其特征在于:提供前端器件层结构,该前端器件层结构具有衬底和位于该衬底上方的栅极结构,所述栅极结构两侧的所述衬底中形成有有源区,所述衬底的表面依序形成有刻蚀停止层、层间介质层和图案化的掩膜层,该图案化的掩膜层具有对应于需要制备位线接触孔的第一开口,且该第一开口暴露出所述层间介质层的表面;以所述图案化的掩膜层为掩膜,对所述第一开口下方的层间介质层进行第一刻蚀,直至暴露所述栅极上方的所述刻蚀停止层;对剩余的所述层间介质层进行第二刻蚀以将其全部去除,以暴露出所述有源区和所述栅极结构上方的所述刻蚀停止层;对所述暴露出的刻蚀停止层进行第三刻蚀以将其全部去除,在所述半导体器件结构中形成位线接触孔。
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