[发明专利]制作半导体器件结构的方法有效
申请号: | 201010275136.5 | 申请日: | 2010-09-03 |
公开(公告)号: | CN102386127A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 黄敬勇;韩秋华 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;顾珊 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提出了一种制作半导体器件结构的方法,包括提供前端器件层结构,具有衬底和位于该衬底上方的栅极结构,栅极结构两侧的衬底中形成有有源区,所述衬底的表面依序形成有刻蚀停止层、层间介质层和图案化的掩膜层,该图案化的掩膜层具有对应于需要制备位线接触孔的第一开口,且该第一开口暴露出所述层间介质层的表面;以所述图案化的掩膜层为掩膜,对所述第一开口下方的层间介质层进行第一刻蚀,再对剩余的所述层间介质层进行第二刻蚀以将其全部去除,以暴露出所述有源区和所述栅极结构上方的所述刻蚀停止层;对所述暴露出的刻蚀停止层进行第三刻蚀以将其全部去除,形成位线接触孔。本发明的方法可证接触孔具有理想的外形轮廓。 | ||
搜索关键词: | 制作 半导体器件 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种制作半导体器件结构的方法,其特征在于:提供前端器件层结构,该前端器件层结构具有衬底和位于该衬底上方的栅极结构,所述栅极结构两侧的所述衬底中形成有有源区,所述衬底的表面依序形成有刻蚀停止层、层间介质层和图案化的掩膜层,该图案化的掩膜层具有对应于需要制备位线接触孔的第一开口,且该第一开口暴露出所述层间介质层的表面;以所述图案化的掩膜层为掩膜,对所述第一开口下方的层间介质层进行第一刻蚀,直至暴露所述栅极上方的所述刻蚀停止层;对剩余的所述层间介质层进行第二刻蚀以将其全部去除,以暴露出所述有源区和所述栅极结构上方的所述刻蚀停止层;对所述暴露出的刻蚀停止层进行第三刻蚀以将其全部去除,在所述半导体器件结构中形成位线接触孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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